作为绍兴科创走廊2025年十大标志性工程之一，绍芯实验室（绍兴复旦研究院）由越城区政府和复旦大学合作共建，于2024年5月正式签约，致力于布局未来计算、存算一体、集成芯片、先进封装等集成电路研究领域，开展战略性、前瞻性的基础研究和应用基础研究，推动科技创新技术化、产业化、资本化“三化联动”，努力建成世界一流实验室。

  历经十年攻关，复旦大学、绍芯实验室周鹏/刘春森团队成功研制人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件——“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒）。北京时间4月16日，相关研究成果以《亚纳秒超注入闪存》（“Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection”）为题发表于国际顶尖期刊《Nature》。

  科研团队从底层源头物理机制入手，构建了准二维泊松模型，成功预测并验证了“无极限超注入”机制，为解决电荷存储速度瓶颈奠定了坚实的理论基础。为实现理论创新向实际性能转化，团队进一步开发了基于狄拉克材料的全栈制造工艺。该工艺不仅与主流硅基CMOS工艺高度兼容，具备极强的产业化潜力，还通过二维狄拉克弹道加速通道设计，使电荷得以从低能态快速跃迁至高能态，实现向存储层的超高速注入。这一创新将电荷存储速度提升至全新量级，为下一代存储技术开辟了路径。

  测试数据表明，“破晓（PoX）”皮秒闪存的单次速度达到400皮秒，相当于每秒可完成25亿次操作，是人类目前能够掌握的最快半导体电荷存储技术。对比现有先进3D NAND闪存，“破晓”存储器芯片的速度提升超过25000倍，在不到1纳秒内就能完成传统存储器耗时10微秒的电荷注入过程。这一突破性成果不仅重新定义了存储技术的性能边界，还将为AI大模型的高效运行提供关键技术支持，助力算力与能效的跨越式提升。

  科研团队提出的二维超注入机制将非易失存储速度提升至~1T的理论极限，标志着现有存储技术边界被再次突破。作为性价比最高、应用最广泛的存储器，闪存技术长期是国际科技巨头的竞争焦点。此次研发的突破性高速非易失闪存技术，不仅有望重塑全球存储技术格局，进而推动产业升级并催生全新应用场景落地，更为我国在该领域实现技术引领提供了重要支撑。

  绍芯实验室周鹏和刘春森为论文通讯作者，刘春森和博士生向昱桐、王宠为论文第一作者。